Estruturas híbridas e tunelamento eletrônico polarizado em spin: Co e MnAs nanoestruturados

• Processo: 06/07209-9
• Modalidade de apoio: Bolsas no Exterior - Pesquisa
• Data de Início da vigência: 04 de abril de 2007
• Data de Término da vigência: 03 de setembro de 2007
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: José Varalda
• Beneficiário: José Varalda
• Pesquisador Anfitrião: Victor Hugo Etgens
• Instituição Sede: Pessoa Física
• Instituição Anfitriã: Université Pierre et Marie Curie (Paris 6), França
• Assunto(s): Magnetismo
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Correntes Polarizadas Em Spin | Magnetorresistencia Tunel | Spintronia=Ca | Magnetismo

Resumo

Uma das chaves para concretizar a integração de semicondutores com a spintrônica, nova eletrônica que utiliza não apenas a manipulação das cargas como também do spin dos portadores, é a de conseguir controlar de maneira eficiente a injeção e a detecção dos portadores polarizados em spin nestes materiais. Isso pode ser feito a partir de sistemas híbridos compostos de um metal ferromagnético e de um semicondutor (e ou isolante). Esta associação não é evidente por diferentes problemas ligados com a estrutura dos materiais. Ela necessita estudos experimentais e teóricos complementares de maneira a viabilizar o crescimento bem como entender a formação das heteroestruturas. Esta associação entre materiais ferromagnéticos metálicos e semicondutores/isolantes poderá permitir a combinação da eletrônica tradicional com a eletrônica de spin. O projeto se encontra neste contexto, propondo o estudo de vias alternativas para injeção de spin, seja a partir de camadas epitaxiais, seja a partir de clusters de materiais ferromagnéticos crescidos sobre semicondutores. O processo de injeção é através de tunelamento direto ou via tunelamento ressonante. Uma etapa importante será a de estudar o processo de tunelamento eletrônico ressonante/não-ressonante polarizado em spin em duas nanoestruturas modelo: 1) multicamadas de partículas de Co imersas em matriz de TiO2 e; 2) partículas do metal magnético MnAs imersas em uma matriz semicondutora de GaAs e GaAlAs, semicondutores muito utilizados na opto-eletronica. (AU)