| Processo: | 00/05821-2 |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Doutorado |
| Data de Início da vigência: | 01 de outubro de 2000 |
| Data de Término da vigência: | 30 de setembro de 2004 |
| Área de conhecimento: | Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada |
| Pesquisador responsável: | Lisandro Pavie Cardoso |
| Beneficiário: | Renata Villela Orloski |
| Instituição Sede: | Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil |
| Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | Difracao De Raios-X | Difracao Multipla Raios-X | Implantacao Ionica | Semicondutores |
Resumo Neste projeto, pretende-se realizar a caracterização dos defeitos gerados na rede cristalina de materiais semicondutores, como por exemplo, Si e GaAs, pelo processo de implantação iônica, utilizando técnicas de difração de raios-X em geometrias de alta resolução. Análises com curvas de rocking, difratometria de triplo-eixo e principalmente a difração múltipla de raios-X serão realizadas, de forma a gerar informações importantes e complementares. Os casos BSD da difração múltipla, em que o feixe secundário é difratado paralelamente à superfície da amostra serão de grande utilidade para investigar os efeitos da formação da camada amorfa na sub-superfície no comprimento de coerência da matriz, correlacionando com os efeitos da relaxação local. Pretendemos também investigar os efeitos do tratamento térmico e da recristalização superficial nas varreduras Renninger e no mapeamento dos casos BSD, além da sensibilidade desta técnica para detectar efeitos da implantação de íons mais leves. (AU) | |
| Matéria(s) publicada(s) na Agência FAPESP sobre a bolsa: | |
| Mais itensMenos itens | |
| TITULO | |
| Matéria(s) publicada(s) em Outras Mídias ( ): | |
| Mais itensMenos itens | |
| VEICULO: TITULO (DATA) | |
| VEICULO: TITULO (DATA) | |