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Medidas de efeito Hall dependente com a temperatura e difratometria de raios-X de alta resolução aplicados a diversos materiais

Processo: 00/12529-6
Linha de fomento:Auxílio à Pesquisa - Regular
Vigência: 01 de agosto de 2001 - 31 de dezembro de 2002
Área do conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Eduardo Abramof
Beneficiário:Eduardo Abramof
Instituição-sede: Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE). Ministério da Ciência, Tecnologia, Inovações e Comunicações (Brasil). São José dos Campos , SP, Brasil
Assunto(s):Filmes finos  Resistência elétrica  Semicondutividade  Efeito Hall quântico  Difração por raios X  Plasma (microeletrônica) 

Resumo

O presente pedido de auxílio visa à melhoria e à continuidade de funcionamento de dois sistemas de medidas, instalados no LAS/INPE sob a responsabilidade do proponente. O primeiro refere-se ao sistema de medidas de resistividade e efeito Hall que permite a realização de medidas elétricas, completamente automatizadas, em materiais de baixa ou alta resistividade entre 12 e 450K. O segundo trata-se do difratômetro de raios-X de alta resolução Philips X'Pert MRD, que pode ser configurado de acordo com a aplicação desejada para medidas de difração ou refletometria de raios-X, em diversos tipos de materiais. Estes dois equipamentos serão utilizados na caracterização elétrica e estrutural de amostras fabricadas no LAS/INPE e de outras provenientes de vários grupos de pesquisa no país e no exterior. Serão caracterizadas, principalmente, camadas e multi-camadas epitaxiais (estruturas quânticas) de compostos semicondutores do grupo IV-VI e do grupo III-V, amostras implantadas por imersão em plasma, e diversos filmes finos de materiais policristalinos e amorfos. (AU)

Publicações científicas
(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)
A. M. P. DOS ANJOS; E. ABRAMOF; P. H. O. RAPPL. Growth and structural characterization of PbTe/PbEuTe double barrier. Brazilian Journal of Physics, v. 36, n. 2a, p. 361-364, Jun. 2006.
A. S. BARROS; E. ABRAMOF; P. H. O. RAPPL. Lead telluride p-n junctions for infrared detection: electrical and optical characteristics. Brazilian Journal of Physics, v. 36, n. 2a, p. 474-477, Jun. 2006.
MARTINI, S.; QUIVY, A. A.; SILVA, M. J. DA; LAMAS, T. E.; SILVA, E. C. F. DA; LEITE, J. R.; ABRAMOF, E. Ex-situ investigation of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells using high-resolution x-ray diffraction. Journal of Applied Physics, v. 94, n. 11, p. 7050-7052, Dec. 2003.

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