| Processo: | 00/12529-6 |
| Modalidade de apoio: | Auxílio à Pesquisa - Regular |
| Data de Início da vigência: | 01 de agosto de 2001 |
| Data de Término da vigência: | 31 de dezembro de 2002 |
| Área do conhecimento: | Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada |
| Pesquisador responsável: | Eduardo Abramof |
| Beneficiário: | Eduardo Abramof |
| Instituição Sede: | Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE). Ministério da Ciência, Tecnologia e Inovação (Brasil). São José dos Campos , SP, Brasil |
| Assunto(s): | Filmes finos Resistência elétrica Semicondutividade Efeito Hall quântico Difração por raios X Plasma (microeletrônica) |
| Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | Filmes Finos | Implantacao Ionica | Resistividade E Efeito Hall |
Resumo
O presente pedido de auxílio visa à melhoria e à continuidade de funcionamento de dois sistemas de medidas, instalados no LAS/INPE sob a responsabilidade do proponente. O primeiro refere-se ao sistema de medidas de resistividade e efeito Hall que permite a realização de medidas elétricas, completamente automatizadas, em materiais de baixa ou alta resistividade entre 12 e 450K. O segundo trata-se do difratômetro de raios-X de alta resolução Philips X'Pert MRD, que pode ser configurado de acordo com a aplicação desejada para medidas de difração ou refletometria de raios-X, em diversos tipos de materiais. Estes dois equipamentos serão utilizados na caracterização elétrica e estrutural de amostras fabricadas no LAS/INPE e de outras provenientes de vários grupos de pesquisa no país e no exterior. Serão caracterizadas, principalmente, camadas e multi-camadas epitaxiais (estruturas quânticas) de compostos semicondutores do grupo IV-VI e do grupo III-V, amostras implantadas por imersão em plasma, e diversos filmes finos de materiais policristalinos e amorfos. (AU)
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