Bolsa 01/14106-8 - Pontos quânticos, Dispositivos

Processo:	01/14106-8
Modalidade de apoio:	Bolsas no Brasil - Pós-Doutorado
Data de Início da vigência:	01 de maio de 2002
Data de Término da vigência:	31 de julho de 2003
Área de conhecimento:	Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada

Pesquisador responsável:	Alain André Quivy
Beneficiário:	Sandro Martini

Instituição Sede:	Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil

Vinculado ao auxílio:	98/12779-0 - Estudo experimental e teórico de nanoestruturas epitaxiais semicondutoras derivadas de compostos III-V, AP.TEM


Assunto(s):	Pontos quânticos Dispositivos Segregação Fotoluminescência
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:	Dispositivos \| Fotoluminescencia \| Pontos Quanticos \| Segregacao \| Substratos Vicinais
Resumo Neste projeto, o bolsista crescerá pela técnica de epitaxia por feixe molecular (MBE) amostras de pontos quânticos de InAs sobre substratos de GaAs(001) nominais e vicinais. Usando as técnicas de fotoluminescência convencional, de micro fotoluminescência, de fotoluminescência resolvida no tempo e de fotoluminescência por excitação, estudará os mecanismos de recombinação radiativa e a dinâmica de portadores neste tipo de estrutura. Investigará também o efeito de segregação dos átomos de In e da tensão elástica sobre as propriedades ópticas das amostras. No final do projeto, graças a toda a experiência adquirida nesta área, pretendemos fabricar o primeiro laser semicondutor baseado em pontos quânticos. Um esforço especial será feito para obter um dispositivo com boas características ópticas e emitindo em torno de 1.3 ou 1.5?m. (AU)

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Publicações científicas (5)

(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)

SILVA, M. J. DA; QUIVY, A. A.; MARTINI, S.; LAMAS, T. E.; SILVA, E. C. F. DA; LEITE, J. R.. Optical response at 1.3 mu m and 1.5 mu m with InAs quantum dots embedded in a pure GaAs matrix. Journal of Crystal Growth, v. 251, n. 1/4, p. 181-185, Apr. 2003. (99/08979-7, 99/10510-7, 01/14106-8)

MARTINI, S.; QUIVY, A. A.; SILVA, M. J. DA; LAMAS, T. E.; SILVA, E. C. F. DA; LEITE, J. R.; ABRAMOF, E.. Ex-situ investigation of indium segregation in InGaAs/GaAs quantum wells using high-resolution x-ray diffraction. Journal of Applied Physics, v. 94, n. 11, p. 7050-7052, Dec. 2003. (01/14106-8, 98/12779-0, 00/12529-6, 99/10510-7, 99/08979-7)

MARTINI, S.; QUIVY, A. A.; LAMAS, T. E.; SILVA, M. J. DA; SILVA, E. C. F. DA; LEITE, J. R.. Influence of indium segregation on the RHEED oscillations during the growth of InGaAs layers on a GaAs(001) surface. Journal of Crystal Growth, v. 251, n. 1/4, p. 101-105, Apr. 2003. (99/08979-7, 99/10510-7, 01/14106-8)

LAMAS‚ T. E.; QUIVY‚ A. A.; MARTINI‚ S.; SILVA‚ M. J.; LEITE‚ J. R.. Smooth p-type GaAs(001) films grown by molecular-beam epitaxy using silicon as the dopant. Thin Solid Films, v. 474, n. 1/2, p. 25-30, Mar. 2005. (99/08979-7, 98/12779-0, 02/10185-3, 95/05651-0, 99/10510-7, 01/14106-8)

LAMAS‚ TE; MARTINI‚ S.; DA SILVA‚ MJ; QUIVY‚ AA; LEITE‚ JR. Morphological and optical properties of p-type GaAs (001) layers doped with silicon. Microelectronics Journal, v. 34, n. 5, p. 701-703, 2003. (98/12779-0, 01/14106-8, 99/10510-7, 99/08979-7, 95/05651-0)

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