Crescimento de heteroestruturas semicondutoras baseadas em GaAs-AlAs e GaN / InN zinc-blende por MBE

• Processo: 98/07763-8
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de setembro de 1998
• Data de Término da vigência: 31 de janeiro de 1999
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: José Roberto Leite
• Beneficiário: Alexandre Pimenta Lima
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Gaas | Gan | Inn | Mbe | Semicondutores

Resumo

O projeto de doutorado completo consiste de duas etapas, ambas envolvendo crescimento de semicondutores III-V por MBE (molecular Beam Epitaxy). A primeira etapa consistiu no estudo do crescimento de heteroestruturas semicondutoras baseadas em GaAs/AlAs e Super-Redes de Si-delta doping em GaAs, por MBE, utilizando-se a máquina Varian GEN-II do Laboratório de Novos Materiais Semicondutores do IFUSP. A segunda etapa consiste no estudo do crescimento epitaxial de c-GaN e c-InN. Esta etapa foi executada na Universität Paderborn, Alemanha, no grupo do prof. dr. Klaus Lischka, através da técnica de Plasma-Assisted MBE, num equipamento Riber 32-system. Nos 5 meses solicitados serão feitas e interpretadas às caracterizações finais das amostras de c-InN (foto-refletância e angle-resolved photoemission spectroscopy), redação de artigos relatando os últimos resultados e a redação final da tese. (AU)