Desenvolvimento de um espectrômetro de elétrons de conversão interna baseado no uso de diodos de Si

• Processo: 02/11261-5
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Mestrado
• Data de Início da vigência: 01 de agosto de 2003
• Data de Término da vigência: 28 de fevereiro de 2005
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física Nuclear
• Pesquisador responsável: Carmen Cecília Bueno
• Beneficiário: Alan Anatoly de Souza Corrêa
• Instituição Sede: Instituto de Pesquisas Energéticas e Nucleares (IPEN). Secretaria de Desenvolvimento Econômico (São Paulo - Estado). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Espectrômetros Análise de ativação de nêutrons Diodos
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Detectores Semicondutores | Diodos De Silicio

Resumo

O projeto de pesquisa proposto contempla o desenvolvimento de um espectrômetro de elétrons de conversão interna baseado no acoplamento de diodos de junção de Si a um sistema de pré-amplificação de impulsos, construído em nosso laboratório, visando sua aplicação em medidas de Física Nuclear ligadas às técnicas de ativação por nêutrons empregadas no IPEN. A pesquisa proposta envolve desde a montagem do diodo como detector, confecção das soldas dos eletrodos de polarização, coletor de cargas e anéis de guarda (atividades que serão desenvolvidas no Laboratório de Microeletrônica da Universidade de São Paulo), até o ajuste das constantes eletrônicas do transistor de efeito de campo (FET) no primeiro estágio de pré-amplificação dos sinais provenientes do diodo. A espectrometria de elétrons de conversão interna será estudada empregando-se fontes radioativas de 133Ba, 109Cd e 57Co, resfriando-se o diodo e o pré-amplificador de impulsos a uma temperatura de -30ºC, através de um dedo frio obtido com uma mistura de álcool etílico e nitrogênio líquido. Um estudo da contribuição da temperatura, pressão, ruído eletrônico, colimação do feixe incidente, largura da zona de depleção e janela morta do diodo, etc. na resolução em energia será realizado visando conduzir o espectrômetro à sua melhor condição de resposta. (AU)

Publicações científicas

(Referências obtidas automaticamente do Web of Science e do SciELO, por meio da informação sobre o financiamento pela FAPESP e o número do processo correspondente, incluída na publicação pelos autores)

BUENO, C. C.; CORREA, ALAN ANATOLY DE SOUZA; CAMARGO, F.; GONÇALVES, J. A. C.; RATO MENDES, P. F. P.. Response of a rad-hard silicon diode for charged particles. NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SP, v. 533, n. 3, p. 435-441, Nov. 2004. (02/11261-5, 03/12720-6)