Análise de sistemas semicondutores tensionados: crescimento e transporte em quantum dots

• Processo: 00/00749-1
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de abril de 2000
• Data de Término da vigência: 29 de fevereiro de 2004
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Mônica Alonso Cotta
• Beneficiário: José Roberto Ribeiro Bortoleto
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Semicondutores Pontos quânticos Epitaxia por feixe molecular Microscopia eletrônica Propriedades elétricas Fosfeto de índio
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Epitaxia | Ilhas Auto Formadas | Inp/Ingap | Microscopia | Quantum Dots | Single Electron Transitor

Resumo

Este projeto prevê o estudo da nucleação e auto-formação de ilhas tri-dimensionais no crescimento epitaxial do sistema InP/InGaP, além da análise de suas características elétricas. Diversas técnicas deverão ser utilizadas com este objetivo, mas a analise das características estruturais e elétricas será realizada principalmente com técnicas de microscopia de varredura por ponta de prova e microscopia eletrônica de transmissão. A fabricação de dispositivos tipo single electron transistor a partir das estruturas de quantum dots e sua caracterização elétrica serão investigadas. (AU)

Publicações acadêmicas

(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)

BORTOLETO, José Roberto Ribeiro. Crescimento e caracterização estrutural de nanoestruturas semicondutoras baseadas na liga InP. 2005. Tese de Doutorado - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de Física Gleb Wataghin Campinas, SP.