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Teoria dos estados eletrônicos e de buracos e propriedades óticas em novas microestruturas semicondutoras planares dopadas

Processo: 97/03072-8
Modalidade de apoio:Bolsas no Brasil - Doutorado
Data de Início da vigência: 01 de outubro de 1997
Data de Término da vigência: 30 de setembro de 1998
Área de conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Luísa Maria Ribeiro Scolfaro
Beneficiário:Andreia Luisa da Rosa
Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Heteroestruturas Semicondutora | Metodo K-.P- | Nitretos Grupo Iii | Silicio | Teoria

Resumo

Estudo da estrutura de bandas e propriedades óticas relacionadas de heteroestruturas semicondutoras (poços quânticos, super-redes, etc.), através de cálculos dentro da teoria da massa efetiva. Adaptação dos programas existentes no grupo para os modelos de luttinger-rohn e Kane às sistemas "S-doping" tipo-p em si e heterostruturas envolvendo "s-doping" em matérias de "FAP". Largo como GaN, InN e AlN e suas ligas cálculos de espectros de absorção e fotoluminescência. (AU)

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