Estudo das propriedades estruturais, eletrônicas e ópticas em semicondutores HgL2

• Processo: 00/08185-0
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de setembro de 2000
• Data de Término da vigência: 31 de agosto de 2004
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Lucy Vitoria Credidio Assali
• Beneficiário: Frederico Ayres de Oliveira Neto
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Semicondutores Iodeto de mercúrio Teoria do funcional da densidade
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Defeitos | Detectores | Dft | Fplapw | Iodeto De Mercurio | Semicondutores

Resumo

Cristais semicondutores Hgl2 vêm sendo amplamente estudados devido a sua utilidade tanto em pesquisas em astronomia, no estudo de raios cósmicos, quanto em aplicações em medicina, onde são utilizados como gama-câmera para identificação e remoção de resíduos de células tumoríficas. Algumas vantagens desse detector sobre os demais é que ele possui elementos com maior número atômico que os demais detectores utilizados (Si, Ge, CdTe), além de possuir maior resolução de energia, menor tamanho, e de ser mais leve e menos sensível a variações do campo magnético. Por outro lado, esse material se degrada com uma certa facilidade quando em contato com o ar atmosférico, levantando questões a respeito de sua estabilidade mecânica. Sua aplicabilidade trouxe a necessidade do estudo de suas propriedades e da resposta desse material à irradiação com raios gama e X. Então, tornou-se necessário a compreensão da influência dos defeitos e impurezas em suas propriedades. Nossa proposta é estudar esse material através do método FPJ,_APW ("Full Potential Linear Augmented Plane Waves"), utilizando a aproximação LSDA ("Local Spin Density Aproximation") dentro da Teoria do Funcional da Densidade (DFT). Dessa forma, poderemos fazer um estudo sistemático do Hgl2, puro e dopado, e das suas propriedades. (AU)

Publicações acadêmicas

(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)

OLIVEIRA NETO, Frederico Ayres de. Propriedades estruturais, eletrônicas e ópticas dos materiais semicondutores \HgI IND.2\ e \ZnI IND.2\ e de defeitos em \HgI IND.2\. 2005. Tese de Doutorado - Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física (IF/SBI) São Paulo.