Confecção e caracterização de dispositivos eletroluminescentes de pontos quânticos de InAs/GaAs crescidos no plano (311)A

• Processo: 99/09331-0
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de janeiro de 2000
• Data de Término da vigência: 28 de fevereiro de 2003
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Circuitos Elétricos, Magnéticos e Eletrônicos
• Pesquisador responsável: Euclydes Marega Junior
• Beneficiário: Marcus Vinicius Alves
• Instituição Sede: Instituto de Física de São Carlos (IFSC). Universidade de São Paulo (USP). São Carlos , SP, Brasil
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Dispositivos | Litografia | Processamento | Semicondutores

Resumo

O presente projeto de pesquisa tem como objetivo principal a confecção de um dispositivo eletroluminescente a partir de pontos quânticos auto-organizados de inas/gaas crescido no plano (311)A, utilizando-se somente o Silício como dopante durante o processo de crescimento por Epitaxia por Feixes Moleculares (MBE). Visando a obtenção do dispositivo, serão determinadas as melhores condições para a formação dos pontos quânticos naturais de inas nas superfícies (311)A, assim como os intervalos de temperatura do substrato e da pressão de Arsênio onde o Silício tem o comportamento de doador ou aceitor. O uso da superfície (311). A traz a possibilidade do uso do Si como dopante tipo p e tipo n, para a formação da junção. Esta junção não convencional ainda é pouco estudada na literatura e o uso de pontos quânticos auto-organizados como meio ativo não foi ainda reportado na literatura. O desenvolvimento deste projeto poderá proporcionar um avanço considerável ao Grupo na linha de dispositivos eletroluminescentes usando o Si como dopante p e n. (AU)