Propriedades eletrônicas e estruturais de semicondutores amorfos

• Processo: 93/00351-2
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de maio de 1993
• Data de Término da vigência: 31 de dezembro de 1996
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Adalberto Fazzio
• Beneficiário: Pedro Paulo de Mello Venezuela
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Amorfos | Dinamica Molecular | Espectroscopia De Absorcao | Semicondutores

Resumo

Estudaremos problemas conformacionais e propriedades eletrônicas de sistemas formados por átomos das colunas III, IV e V da Tabela Periódica tais como Si, Ge, C, GaAs e SiC nos estados líquido e amorfo. Inicialmente pretendemos encontrar ordenamentos atômicos possíveis através de simulações de Monte Carlo com Potenciais Interatômicos tipo-Tersoff e a partir daí realizar cálculos de estrutura eletrônica através do Método Auto-Consistente de Hartree-Fock com Interações de Configurações para a determinação dos espectros de absorção óptica na região visível e ultra-violeta. (AU)

Publicações acadêmicas

(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)

VENEZUELA, Pedro Paulo de Mello. Propriedades Eletrônicas e Estruturais de Elementos do Grupo V em Semincondutores Amorfos. 1996. Tese de Doutorado - Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física (IF/SBI) São Paulo.