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Propriedades eletrônicas e estruturais de semicondutores amorfos

Processo: 93/00351-2
Modalidade de apoio:Bolsas no Brasil - Doutorado
Data de Início da vigência: 01 de maio de 1993
Data de Término da vigência: 31 de dezembro de 1996
Área de conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Adalberto Fazzio
Beneficiário:Pedro Paulo de Mello Venezuela
Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Amorfos | Dinamica Molecular | Espectroscopia De Absorcao | Semicondutores

Resumo

Estudaremos problemas conformacionais e propriedades eletrônicas de sistemas formados por átomos das colunas III, IV e V da Tabela Periódica tais como Si, Ge, C, GaAs e SiC nos estados líquido e amorfo. Inicialmente pretendemos encontrar ordenamentos atômicos possíveis através de simulações de Monte Carlo com Potenciais Interatômicos tipo-Tersoff e a partir daí realizar cálculos de estrutura eletrônica através do Método Auto-Consistente de Hartree-Fock com Interações de Configurações para a determinação dos espectros de absorção óptica na região visível e ultra-violeta. (AU)

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Publicações acadêmicas
(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)
VENEZUELA, Pedro Paulo de Mello. Propriedades Eletrônicas e Estruturais de Elementos do Grupo V em Semincondutores Amorfos. 1996. Tese de Doutorado - Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física (IF/SBI) São Paulo.