Simulação de crescimento epitaxial e formação de interfaces por método Monte Carlo

• Processo: 98/14367-1
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Mestrado
• Data de Início da vigência: 01 de março de 1999
• Data de Término da vigência: 31 de julho de 2000
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Mônica Alonso Cotta
• Beneficiário: Vitor Rafael Coluci
• Instituição Sede: Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Assunto(s): Epitaxia por feixe molecular Método de Monte Carlo Arsenieto de gálio
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Dinamica | Epitaxia | Gaas | Monte Carlo | Simulacao | Superficie

Resumo

Este projeto tem como objetivo estudar a influência dos processos cinéticos (difusão e adsorção) e suas características (barreira de energia e anisotropia, no caso da difusão), e das variáveis de crescimento (temperatura, fluxo, morfologia inicial) na evolução da morfologia da interface de filmes crescidos por epitaxia. Esse estudo será feito através de simulação por método Monte Carlo dando-se mais ênfase na comparação com resultados experimentais obtidos em trabalhos anteriores [6,18]. (AU)

Publicações acadêmicas

(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)

COLUCI, Vitor Rafael. Simulação de crescimento epitaxial e formação de interfaces por método Monte Carlo. 2000. Dissertação de Mestrado - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de Física Gleb Wataghin Campinas, SP.