Estabilidade de defeitos nativos e impurezas em nitreto de boro

• Processo: 98/00719-3
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de junho de 1998
• Data de Término da vigência: 31 de agosto de 2001
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Luísa Maria Ribeiro Scolfaro
• Beneficiário: Luis Eugenio Ramos
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Estabilidade Estrutura eletrônica Nitreto de boro
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Estrutura Eletronica | Impurezas/Defeitos | Metodo Flapw | Nitreto De Boro | Propriedades Eletronicas | Propriedades Estruturais

Resumo

Estudo da estrutura eletrônica, propriedades estruturais e da estabilidade de defeitos e impurezas em nitreto de boro nas formas hexagonal e cúbica, utilizando o método "full-potencial" FLAPW dentro da aproximação local(LDA) e do modelo da célula unitária grande vários centros, isolados, ou na forma de complexos, serão calculados via o método "AB INICIO" FLAPN. Análise da estabilidade dos defeitos e impurezas via cálculos de energia de formação e entropia dos mesmos serão efetuados. (AU)