Estudo e desenvolvimento de filmes finos de óxido de silício hidrofóbicos, depositados por PECVD, visando sua aplicação em microestruturas e sensores

• Processo: 97/04225-2
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de agosto de 1997
• Data de Término da vigência: 30 de novembro de 2001
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: Nilton Itiro Morimoto
• Beneficiário: Angela Makie Nakazawa
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Deposição de filmes finos Filmes finos Deposição química em fase de vapor assistida por plasma (PECVD) Silício
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Caracterizacao De Materiais | Deposicao De Filmes Finos | Microestruturas | Oxido De Silicio | Processos Cvd | Sensores

Resumo

Este trabalho tem como objetivo fundamental o estudo e o desenvolvimento de filmes finos de óxido de silício, depositados por PECVD, para serem aplicados em microestruturas e sensores como micro-filtros, camada de adsorção de produtos orgânicos e outros. O processo PECVD é amplamente utilizado na microeletrônica e que, por suas características intrínsecas, pode ser modificado (alterando-se os parâmetros de deposição) para produzir filmes de óxido de silício com características completamente diferentes daquelas normalmente encontradas. (AU)