Potenciais eletrostáticos em heteroestruturas semicondutoras na presença de confinamento quântico

• Processo: 96/11113-3
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de março de 1997
• Data de Término da vigência: 28 de fevereiro de 2001
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Luísa Maria Ribeiro Scolfaro
• Beneficiário: Sara Cristina Pinto Rodrigues
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Eletrostática Heteroestruturas Poços quânticos Confinamento quântico Desenvolvimento de software
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Estrutura Redes | Pocos Quanticos | Sistemas J Doping | Super Redes | Teoria

Resumo

Desenvolvimento de teoria que permita o cálculo de heteroestruturas semicondutoras que envolvam estados confinados na presença de potenciais eletrostáticos devidos a superfície, interfaces, etc., onde a heteroestrutura está "imersa". Desenvolvimento de programa computacional, e obtenção da estrutura de bandas, perfis de potencial, cálculos de espectros de fotoluminescência, etc. de uma série de estruturas especificadas crescidas em nossos laboratórios e extraídas da literatura. (AU)