Estudo de contatos rasos de siliceto de níquel sobre junções "n+p" e "p+n"

• Processo: 01/00040-5
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de maio de 2001
• Data de Término da vigência: 30 de abril de 2005
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos
• Pesquisador responsável: Sebastiao Gomes dos Santos Filho
• Beneficiário: Ronaldo Willian Reis
• Instituição Sede: Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Filmes finos Diodos Semicondutores Dopagem eletrônica
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Barreiras Da Difusao | Contatos Rasos | Deposicao Quimica | Diodos N+P | Juncoes Rasas

Resumo

Neste trabalho será feito um estudo da cinética de formação e da morfologia de filmes finos de siliceto de níquel sobre junções rasas N+P e P+N e sobre substratos de silício sem junção (substratos virgens). As junções semicondutoras serão obtidas através de três procedimentos distintos: (a) implantação iônica de arsênio (As) ou boro (B) antes da silicetação; (b) implantação no siliceto previamente formado e difusão a partir do mesmo; (c) "spin-on" de óxido dopado com arsênio ou boro sobre o siliceto de níquel previamente formado e difusão do dopante através do siliceto em direção ao substrato. O processo de difusão de dopante através do siliceto de níquel será caracterizado fisicamente assim como também a sua influência na morfologia final do filme. Finalmente, será feita a construção e caracterização experimental de diodos N+P e P+N com contatos AI/Ni/NiSi/Si de alta qualidade de forma a se ter características elétricas reversas melhoradas compatíveis com altíssima escala de integração para circuitos integrados (GSI: Giga Scale Integration). O controle de qualidade consistirá em obter-se camadas de silicetos sobre regiões dopadas com baixas rugosidades interfaciais e baixas resistências de contato de forma a minimizar a corrente reversa de fuga através dos diodos fabricados. (AU)