Interferencia entre modos vibracionais e excitacoes eletronicas em super-redes semicondutoras dopadas.

• Processo: 99/11524-1
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Mestrado
• Data de Início da vigência: 01 de março de 2000
• Data de Término da vigência: 28 de fevereiro de 2002
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Liderio Citrangulo Ioriatti Junior
• Beneficiário: Leonardo Kleber Castelano
• Instituição Sede: Instituto de Física de São Carlos (IFSC). Universidade de São Paulo (USP). São Carlos , SP, Brasil
• Assunto(s): Super-redes Efeito Raman
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Espalhamento Raman | Interacao Eletron-Fonon | Interferencias De Fano | Super-Redes

Resumo

Interferências quânticas entre um nível discreto e um quase-contínuo de níveis de energia, são essenciais para a compreensão de vários fenômenos físicos, tais como, emissão espontânea, hibridização de orbitais localizados e níveis estendidos em Física do Estado Sólido e transições não radiativas associadas a estados aoutoionizantes. Nos espectros de espalhamento Raman polarizado de GaAs periodicamente dopado do tipo n, é observada uma assimetria nas formas de linha de seções de choque de espalhamento [5,6], Esta assimetria é uma característica dos efeitos causados por este tipo de interferência, como proposto originalmente na referência [3]. A região de energia na qual as assimetrias são esperadas é a de fônons longitudinais (LO) do material hospedeiro, como conseqüência do acoplamento de Fröhlich dos fônons LO com o quase-contínuo das flutuações de carga eletrônica. No gás periodicamente modulado, existem processos "unklapp" ao longo do eixo de modulação, que possibilitam espalhamento inelástico de radiação via excitações eletrônicas de curtos comprimentos de onda, as quais, são fracamente blindadas e estendem-se por uma banda de freqüências superposta àquela devida aos fônons LO, que são responsáveis pelo espalhamento Raman vibracional. Assimetrias no espectro Raman à temperatura ambiente foram observadas experimentalmente [6] e puderam fornecer grandezas físicas relevantes, tais como a auto-energia da ressonância e a razão entre as amplitudes do espalhamento Raman vibracional e eletrônico. O trabalho tem como propósito a investigação teórica deste efeito, através da determinação da estrutura eletrônica seguida da determinação da auto-energia da ressonância (expressa pela parte real e imaginária) que pode ser calculada através de um cálculo de muitos corpos baseado na aproximação das fases aleatórias (RPA). A determinação da estrutura eletrônica permitirá o cálculo da extensão da camada de depleção e conseqüentemente a relação de intensidades entre a linha originada na ressonância e aquela proveniente dos fônons (desacoplados) presentes na camada de depleção que é simultaneamente observada no experimento. (AU)

Publicações acadêmicas

(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)

CASTELANO, Leonardo Kleber. Auto-energia de fônons LO em super-redes delta-dopadas. 2002. Dissertação de Mestrado - Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física de São Carlos (IFSC/BT) São Carlos.