Modelamento de estruturas mos.

• Processo: 00/05136-8
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Mestrado
• Data de Início da vigência: 01 de agosto de 2000
• Data de Término da vigência: 30 de abril de 2002
• Área de conhecimento: Engenharias - Engenharia Elétrica - Medidas Elétricas, Magnéticas e Eletrônicas, Instrumentação
• Pesquisador responsável: Peter Jurgen Tatsch
• Beneficiário: Leandro Tiago Manera
• Instituição Sede: Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação (FEEC). Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Campinas , SP, Brasil
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Bsmi3 | Modelamento | Mos | Spice

Resumo

O objetivo deste trabalho é o estudo dos modelos SPICE e BSIM3v3 e a sua utilização na simulação de estruturas nMOS fabricadas pelo Centro de Componentes Semicondutores - CCS da UNICAMP e dispositivos MOS submicrométricos fabricados no laboratório IMECC - Bélgica. Os dispositivos submicrométricos fornecidos pelo IMECC e os nMOS fabricados pela tecnologia disponível no CCS serão caracterizados e os parâmetros extraídos serão utilizados nos modelos. Isto permitirá tanto um ajuste ótimo dos parâmetros de fabricação dos dispositivos como uma melhor previsibilidade do comportamento dos circuitos projetados e fabricados no centro. (AU)

Publicações acadêmicas

(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)

MANERA, Leandro Tiago. Determinação de regras de projeto e de parametros de simulação de um processo nMOS para fabricação de circuitos integrados. 0000. Dissertação de Mestrado - Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação Campinas, SP.