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Tunelamento ressonante via impureza localizada em estruturas semicondutoras

Processo: 94/00384-0
Modalidade de apoio:Bolsas no Brasil - Doutorado
Data de Início da vigência: 01 de setembro de 1994
Data de Término da vigência: 30 de novembro de 1994
Área de conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Pierre Basmaji
Beneficiário:Newton La Scala Júnior
Instituição Sede: Instituto de Física e Química de São Carlos (IFQSC). Universidade de São Paulo (USP). São Carlos , SP, Brasil
Assunto(s):Poços quânticos   Semicondutores   Tunelamento quântico
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Efeito Mesoscopico | Impurezas | Pocos Quanticos | Semicondutores | Tunelamento Ressonamento | Zero Dimensol

Resumo

O desenvolvimento dessa "Engenharia de Band Cap" através das técnicas de crescimento epitaxial resultou em infinitas possibilidades de criação de estruturas para exploração nos campos da tecnologia e física básica. Neste projeto pretendo concluir meu trabalho de tese, elaborando novas estruturas para entender melhor a natureza de estado localizado no poço quântico, onde o elétron tunela para a impureza. Ainda podemos observar o tunelamento de um estado 0 dimensional para outro estado 0 dimensional. (AU)

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Publicações acadêmicas
(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)
SCALA JÚNIOR, Newton La. Tunelamento ressonante através de impurezas doadoras em estruturas de dupla barreira.. 1994. Tese de Doutorado - Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física de São Carlos (IFSC/BT) São Carlos.