Tunelamento ressonante através de impurezas doadoras em estruturas de dupla barreira.

Autor(es)

Newton La Scala Junior

• Tipo de documento: Tese de Doutorado
• Imprenta: São Carlos.
• Instituição: Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física de São Carlos (IFSC/BT)
• Data de defesa: 1994-11-25

Membros da banca

Pierre Basmaji; Jose Antonio Brum; Francisco Eduardo Gontijo Guimaraes; Paulo Sérgio Soares Guimarães; Nelson Studart Filho

• Orientador: Pierre Basmaji

Resumo

Neste trabalho investigamos o tunelamento ressonante em estruturas de dupla barreira GaAs/(AlGa)As que foram fabricadas em mesas quadradas de tamanho lateral mesoscópico e macroscópico (&#8764 10&#956m &#215 10&#956m). Uma camada tipo &#948 com diferentes concentrações de Silício foi incorporada no centro do poço quântico. As características I(V) mostram algumas estruturas em posição de voltagem abaixo do pico de ressonância principal que são atribuídas a estados relacionados a impurezas. Tais estados localizados estão presentes no poço quântico com energias de ligação bem maiores do que um doador de Silício isolado. Estes estados de maior energia de ligação são atribuídos a pares de doadores distribuídos aleatoriamente. Em alguns dispositivos onde estados relacionados a impurezas podem ser identificados isoladamente na característica I(V), um efeito destacável pode ser observado. Um pica na característica I(V) aparece nas mais baixas temperaturas medidas (abaixo de 1K) quando o nível de Fermi no emissor se alinha com o estado localizado relacionado a impureza. Tal pico e atribuído a interação Coulombiana entre o elétron no sitio localizado e os elétrons no gás bidimensional (emissor). (AU)

• Processo FAPESP: 94/00384-0 - Tunelamento ressonante via impureza localizada em estruturas semicondutoras
• Beneficiário: Newton La Scala Júnior
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado