Propriedades eletrônicas e estruturais em Si/Ge e Si/Si3N4 com temperaturas finitas

• Processo: 99/12355-9
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de maio de 2000
• Data de Término da vigência: 31 de agosto de 2003
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Adalberto Fazzio
• Beneficiário: Gustavo Martini Dalpian
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Adsorção (química) Simulação de dinâmica molecular Método de Monte Carlo Silício Dinâmica das estruturas
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Adsorcao | Dinamica | Interface | Monte Carlo Cinetico | Superficie | Temperatura

Resumo

Através de Métodos de Primeiros Princípios, estudaremos a deposição de Ge sobre a superfície de Silício e a deposição de Si sobre a superfície de Si3N4. Estaremos interessados nas interfaces resultantes dessas combinações. Também pretende-se estudar a dinâmica dessas estruturas quando consideradas a temperaturas finitas e faremos uma simulação realística desses crescimentos utilizando o Método de Monte Cario Cinético. (AU)

Publicações acadêmicas

(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)

DALPIAN, Gustavo Martini. A natureza de defeitos de Bulk e na superfície de semicondutores. 2003. Tese de Doutorado - Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física (IF/SBI) São Paulo.