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Propriedades eletrônicas e estruturais em Si/Ge e Si/Si3N4 com temperaturas finitas

Processo: 99/12355-9
Modalidade de apoio:Bolsas no Brasil - Doutorado
Data de Início da vigência: 01 de maio de 2000
Data de Término da vigência: 31 de agosto de 2003
Área de conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Adalberto Fazzio
Beneficiário:Gustavo Martini Dalpian
Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
Assunto(s):Adsorção (química)   Simulação de dinâmica molecular   Método de Monte Carlo   Silício   Dinâmica das estruturas
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Adsorcao | Dinamica | Interface | Monte Carlo Cinetico | Superficie | Temperatura

Resumo

Através de Métodos de Primeiros Princípios, estudaremos a deposição de Ge sobre a superfície de Silício e a deposição de Si sobre a superfície de Si3N4. Estaremos interessados nas interfaces resultantes dessas combinações. Também pretende-se estudar a dinâmica dessas estruturas quando consideradas a temperaturas finitas e faremos uma simulação realística desses crescimentos utilizando o Método de Monte Cario Cinético. (AU)

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Publicações acadêmicas
(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)
DALPIAN, Gustavo Martini. A natureza de defeitos de Bulk e na superfície de semicondutores. 2003. Tese de Doutorado - Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física (IF/SBI) São Paulo.