| Processo: | 96/01437-6 |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Doutorado |
| Data de Início da vigência: | 01 de maio de 1996 |
| Data de Término da vigência: | 30 de abril de 2000 |
| Área de conhecimento: | Engenharias - Engenharia Elétrica - Materiais Elétricos |
| Pesquisador responsável: | João Antonio Martino |
| Beneficiário: | Marcelo Antonio Pavanello |
| Instituição Sede: | Escola Politécnica (EP). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil |
| Assunto(s): | Simulação numérica Técnicas de caracterização elétrica Tecnologia SOI |
| Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | Caracterizacao Eletrica | Novos Dispositivos | Simulacao Numerica | Tecnologia Soi |
Resumo Neste trabalho deseja-se estudar novos transistores tipo Metal-Óxido-Semicondutor implementados em lâminas de Silíco sobre Isolante (SOI-MOSFET) que apresentem vantagens em aplicações especificas sobre os transistores convencionais. O trabalho será iniciado com a simulação de três novas estruturas de SOI entre as quais a que apresentar mais vantagens será fabricada e caracterizada eletricamente. Novos modelos analíticos serão desenvolvidos e validados por simulação e pelos resultados experimentais obtidos do transistor SOI-MOSFET em estudo. (AU) | |
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