Busca avançada
Ano de início
Entree


Projeto, fabricação e caracterização elétrica de uma nova estrutura para o SOI MOSFET.

Texto completo
Autor(es):
Marcelo Antonio Pavanello
Número total de Autores: 1
Tipo de documento: Tese de Doutorado
Imprenta: São Paulo.
Instituição: Universidade de São Paulo (USP). Escola Politécnica (EP/BC)
Data de defesa:
Membros da banca:
João Antonio Martino; Nelson Liebentritt de Almeida Braga; Jader Alves de Lima Filho; Sebastião Gomes dos Santos Filho; Jacobus Willibrordus Swart
Orientador: João Antonio Martino
Resumo

Apresentamos neste trabalho o projeto, fabricação e caracterização elétrica de uma nova estrutura para o SOI MOSFET, desenvolvida com o intuito de minimizar os efeitos bipolares parasitários que afetam os transistores SOI totalmente depletadosconvencionais. O projeto da nova estrutura proposta é realizado com base na física que descreve a ocorrência destes efeitos parasitas e com o auxílio de simuladores numéricos bidimensionais de dispositivos, resultando em um transistor com perfilassimétrico de dopantes na região de canal. O processo de fabricação dos novos transistores é desenvolvido mantendo a total compatibilidade com o processo normalmente utilizado para fabricar transistores SOI convencionais. Obtivemos umtransistor que apresenta significativas melhoras na tensão de ruptura e na variação da tensão de limiar, decorrentes do elevado campo elétrico na região de dreno, além aumentar a transcondutância e reduzir a condutância de saída do dispositivo,se comparado aos transistores SOI MOSFET convencionais. O desempenho do novo transistor proposto para aplicações em circuitos analógicos é também estudado, apresentando seu grande potencial para obtenção de amplificadores com elevado ganho ereduzida potência consumida. (AU)

Processo FAPESP: 96/01437-6 - Desenvolvimento de novos transistores implementados em tecnologia soi.
Beneficiário:Marcelo Antonio Pavanello
Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado