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Análise de hétero-estruturas semicondutoras por espectroscopia Raman

Processo: 96/00279-8
Modalidade de apoio:Bolsas no Brasil - Doutorado
Data de Início da vigência: 01 de março de 1996
Data de Término da vigência: 31 de agosto de 1999
Área de conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Jose Claudio Galzerani
Beneficiário:Giovani Zanelatto
Instituição Sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
Assunto(s):Semicondutores   Super-redes   Espectroscopia Raman
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Espectroscopia Raman | Interfaces | Semicondutor | Super-Redes

Resumo

A análise do arranjo em escala atômica das interfaces em super-redes semicondutores deverá ser realizada através da verificação de suas propriedades vibracionais. O processo cinético de segregação deverá ser levado em conta para a obtenção de perfis destas interfaces. Serão estudadas super-redes de GaAs/AIAs, InAs/GaAs, GaSb/AlSb e Alx1In1-x1As/AlxIn1-xAs. (AU)

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