Simulação dos primeiros estágios de crescimento de GE na superfície de SI(100)-2x1

• Processo: 98/01447-7
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Mestrado
• Data de Início da vigência: 01 de maio de 1998
• Data de Término da vigência: 30 de abril de 2000
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Adalberto Fazzio
• Beneficiário: Gustavo Martini Dalpian
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Teoria do funcional da densidade Método de Monte Carlo Métodos ab initio Simulação por computador Silício
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Ab Initio | Funcional Da Densidade | Monte Carlo Cinetico | Superficie

Resumo

O aluno trabalhará com métodos de primeiros princípios para calcular taxas associadas à processos de superfície e desenvolverá um código computacional de Monte-Carlo-Cinéico. Inicialmente nosso objetivo concentra-se nos estágios iniciais de crescimento de Ge um silício. (AU)

Publicações acadêmicas

(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)

DALPIAN, Gustavo Martini. Estudo dos Estágios Iniciais do Crescimento de Ge Sobre Si(100). 2000. Dissertação de Mestrado - Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física (IF/SBI) São Paulo.