Texto completo
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| Autor(es): |
Gustavo Martini Dalpian
Número total de Autores: 1
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| Tipo de documento: | Dissertação de Mestrado |
| Imprenta: | São Paulo. |
| Instituição: | Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física (IF/SBI) |
| Data de defesa: | 2000-04-13 |
| Membros da banca: |
Adalberto Fazzio;
Alex Antonelli;
Alain Andre Quivy
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| Orientador: | Adalberto Fazzio |
| Resumo | |
A superfície (100) do Silício é estudada através de métodos de primeiros princípios, baseados na Teoria do Funcional da Densidade e no Método dos Pseud.opotenciais. Estudamos as propriedades eletrônicas e estruturais das principais reconstruções desta superfície. Obtivemos os principais sítios ligantes para pequenas estruturas de Germânio adsorvidas sobre ela. Para um átomo adsorvido o sítio mais estável encontrado foi o sítio M, semelhante a resultados existentes na literatura. A diferença está na configuração dos dímeros de Si da superfície. Observamos que diferentes configurações destes dímeros nos forneciam diferentes sítios metaestáveis. O deslocamento dos dímeros da superfície é tratado então como um novo grau de liberdade para a adsorção de átomos, além da posição destes sobre a superfície. Também foi estudada a adsorção de alguns trímeros de Ge sobre a superfície, sendo que a estrutura encontrada como sendo a mais estável concorda muito bem com outros resultados teóricos e experimentais. (AU) | |
| Processo FAPESP: | 98/01447-7 - Simulação dos primeiros estágios de crescimento de GE na superfície de SI(100)-2x1 |
| Beneficiário: | Gustavo Martini Dalpian |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Mestrado |