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Propriedades eletronicas de pontos e fios quanticos semicondutores.

Processo: 03/04622-4
Modalidade de apoio:Bolsas no Brasil - Mestrado
Data de Início da vigência: 01 de agosto de 2003
Data de Término da vigência: 31 de julho de 2005
Área de conhecimento:Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
Pesquisador responsável:Guilherme Matos Sipahi
Beneficiário:Elton Marcio da Silva Santos
Instituição Sede: Instituto de Física de São Carlos (IFSC). Universidade de São Paulo (USP). São Carlos , SP, Brasil
Assunto(s):Pontos quânticos   Estrutura eletrônica
Palavra(s)-Chave do Pesquisador:Estrutura Eletronica | Metodo Kp | Pontos Quanticos

Resumo

Este plano de trabalho refere-se ao estudo das propriedades eletrônicas e óticas de pontos e fios quânticos semicondutores III-V Uma busca pela bibliografia a respeito do cálculo de estrutura eletrônica de pontos quânticos semicondutores nos últimos anos mostra o estudo de geometrias específicas, ou simplificações nas descrições dos estados da banda de valência, devido à alta complexidade do problema. O plano ora proposto incrementará método previamente baseado no método k. p, adequando-o ao estudo de sistemas de baixa dimensionalidade, tornando possível o estudo de pontos e fios quânticos com uma geometria qualquer. (AU)

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Publicações acadêmicas
(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)
SANTOS, Elton Marcio da Silva. Cálculo de propriedades eletrônicas de heteroestruturas semicondutoras quase zero-dimensionais quantum dots (QDs). 2006. Dissertação de Mestrado - Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física de São Carlos (IFSC/BT) São Carlos.