Caracterizacao de heteroestruturas semicondutoras utilizadas na fabricacao de fotodetectores operando na faixa de micrometros.

• Processo: 03/12109-5
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de maio de 2004
• Data de Término da vigência: 30 de abril de 2007
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Gennady Gusev
• Beneficiário: Ivan Ramos Pagnossin
• Instituição Sede: Instituto de Física (IF). Universidade de São Paulo (USP). São Paulo , SP, Brasil
• Assunto(s): Pontos quânticos Fotoluminescência Fotodetectores
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Fotodetectores | Fotoluminescencia | Gas De Eletrons | Medidas De Transporte | Pontos Quanticos | Shubnikov-De-Haas

Resumo

Este projeto de pesquisa envolve o estudo das propriedades elétricas e eletrônicas de heteroestruturas semicondutoras comendo pontos quânticos (QDs, quantum dots), crescidas pela técnica de epitaxia por feixe molecular (MBE), utilizando medidas elétricas e de fotoluminescência. Pretendemos analisar estruturas com arquiteturas que servem de base para a fabricação de fotodetectores operando na faixa de décimos de micrometros. Em geral, estas estruturas têm um gás bidimensional de elétrons nas imediações dos QDs; e nossa intenção é determinar as características dos portadores deste gás (ocupações das sub-bandas e suas respectivas mobilidades) com o intuito de otimizar o desempenho destes dispositivos. A primeira demonstração que os QDs são eficientes detectores de radiação infravermelha foi reportada em novembro de 1998 por S. J. Xu e colaboradores[1], A partir desta data, estruturas com diferentes arquiteturas têm sido propostas para a confecção destes fotodetectores e suas potencialidades estão sendo testadas. Este também é o nosso intuito. [1] Characteristics of InGaAs quantum dot infrared photodetectors, S. J. Xu, S. J. Chua, T. Mei, X. C. Wang, X. H. Zhang, X. G. Xie, Appl. Phys. Lett. 73, 3153 (1998). (AU)