Modelo do potencial otico complexo para estudos de espalhamento de eletrons por moleculas e radicais livres.

• Processo: 04/05268-2
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado
• Data de Início da vigência: 01 de novembro de 2004
• Data de Término da vigência: 29 de fevereiro de 2008
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física Atômica e Molecular
• Pesquisador responsável: Lee Mu Tao
• Beneficiário: Elisangela Aparecida Y Castro
• Instituição Sede: Centro de Ciências Exatas e de Tecnologia (CCET). Universidade Federal de São Carlos (UFSCAR). São Carlos , SP, Brasil
• Assunto(s): Radicais livres Espalhamento de elétrons Eletrochoque
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Espalhamento De Eletrons | Potencial Otico Complexo | Radicais Livres | Secoes De Choque

Resumo

Neste estudo, propõe-se um estudo teórico de interação de elétrons de energias baixas e intermediárias (1-500 eV) com radicais livres CH2, SiH2, CF2, e SiF2. Esses radicais livres são resultados da interação de elétrons com moléculas do tipo CF4 e SiF4, que são largamente utilizadas no processamento de semicondutores por plasma. A presença destes radicais no plasma certamente alteraria as propriedades do meio e, portanto o conhecimento da dinâmica de interação entre elétrons e desses radicais livres numa larga faixa de energia são importantes para modelamento do plasma e controle do processo. Devido a alta reatividade dos radicais, é muito difícil determinar as seções de choque de interação por vias experimentais. Desta forma, o cálculo teórico é atualmente único meio para determinação das mesmas. No presente estudo, um potencial efetivo (potencial ótico) complexo será utilizado para descrever a interação elétron-radical. Para tal, vários modelos de potenciais de absorção que descreve conjuntamente os processos inelásticos da interação será examinados. Caso é necessário, as modificações para melhor descrever destes processos serão introduzidas. Esta metodologia será aplicada, para calcular as seções de choques diferenciais e integrais para espalhamento de elétrons com os radicais propostos. (AU)