Cristalizacao induzida por niquel em filmes de silicio amorfo.

• Processo: 04/11133-2
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Mestrado
• Data de Início da vigência: 01 de março de 2005
• Data de Término da vigência: 28 de fevereiro de 2007
• Área de conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física - Física da Matéria Condensada
• Pesquisador responsável: Antonio Ricardo Zanatta
• Beneficiário: Fabio Aparecido Ferri
• Instituição Sede: Instituto de Física de São Carlos (IFSC). Universidade de São Paulo (USP). São Carlos , SP, Brasil
• Vinculado ao auxílio: 98/14270-8 - Centro de Ciências Ópticas e Fotônica, AP.CEPID
• Assunto(s): Semicondutores amorfos Análise espectroscópica
• Palavra(s)-Chave do Pesquisador: Fisica De Semicondutores | Semicondutores Amorfos | Tecnicas Espectroscopicas

Resumo

Este Projeto de Pesquisa tem por objetivo o estudo dos mecanismos de cristalização em filmes de silício amorfo (a-Si) dopados com níquel (a-Si:Ni). Estritamente, este projeto é uma continuação do trabalho experimental realizado no período Maio-Setembro 2004 (FAPESP 03/03860-9, "Filmes de Silício amorfo dopados com Níquel") sob a forma de Iniciação Científica. Em função deste esforço inicial, possuímos uma primeira série de amostras preparadas pela técnica de sputtering de rádio freqüência, com concentrações crescentes de Ni de até ~ 10 at.%. Uma vez preparados, todos os filmes foram submetidos a tratamentos térmicos cumulativos e, posteriormente investigados por espectroscopia Raman. Medidas envolvendo técnicas microscópicas (óptica, eletrônica de varredura, e de força atômica) também foram realizadas e, no presente momento, nos encontramos analisando todo o conjunto de resultados experimentais. Além de algumas conclusões parciais (temperatura de limiar de cristalização, dependência da concentração de Ni no processo de cristalização, formação de aglomerados metálicos, etc.), outras questões surgiram, e que merecem uma investigação detalhada: dinâmica do mecanismo de cristalização induzida; influência do tipo de substrato no processo de cristalização (e no eventual surgimento de stress); características (tamanho médio e distribuição) dos cristalitos produzidos; dependência da espessura dos filmes no processo de cristalização, etc. (AU)

Publicações acadêmicas

(Referências obtidas automaticamente das Instituições de Ensino e Pesquisa do Estado de São Paulo)

FERRI, Fabio Aparecido. Cristalização induzida por níquel em filmes de silício amorfo. 2007. Dissertação de Mestrado - Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física de São Carlos (IFSC/BT) São Carlos.