Efeito de campo em heteroestruturas semicondutoras de dispositivos eletrônicos quânticos

Autor(es)

José Eduardo Manzoli

• Tipo de documento: Tese de Doutorado
• Imprenta: São Carlos.
• Instituição: Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física de São Carlos (IFSC/BT)
• Data de defesa: 1998-03-06

Membros da banca

Oscar Hipolito; Fernando Cerdeira; Valmir Antonio Chitta; Francisco Eduardo Gontijo Guimarães; Murilo Araujo Romero

• Orientador: Oscar Hipolito

Resumo

Os efeitos do campo elétrico, que surgem pela aplicação de uma voltagem no contato Schottky, na estrutura eletrônica de heteroestruturas semicondutoras utilizadas nos recentes transistores de efeito de campo (FET) e numa super-rede finita são simulados numericamente. Estas heteroestruturas apresentam poços quânticos bidimensionais e camadas que podem estar tensionadas pela diferença entre os parâmetros de rede cristalinos. Através de um procedimento numérico auto-consistente várias grandezas físicas são estudadas, os auto-estados e as densidades eletrônicas nas sub-bandas são calculadas. A variação destas grandezas é associada à capacitância e à transcondutância intrínseca, em função da voltagem no gate. Os resultados da simulação são comparados aos dados experimentais. Este procedimento possibilita a compreensão dos fenômenos quânticos envolvidos com a previsão de certas características de dispositivos sem a necessidade prévia de sua produção e testes (AU)

• Processo FAPESP: 93/04457-0 - Autoestados e evolução de pacotes de onda em heteroestruturas semicondutoras 1D e OD sob campo elétrico e/ou magnético
• Beneficiário: José Eduardo Manzoli
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado