Texto completo
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| Autor(es): |
Leandro Hostalácio Freire de Andrade
Número total de Autores: 1
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| Tipo de documento: | Tese de Doutorado |
| Imprenta: | Campinas, SP. |
| Instituição: | Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de Física Gleb Wataghin |
| Data de defesa: | 1999-03-02 |
| Membros da banca: |
Carlos Henrique de Brito Cruz;
Lucio Hora Acioli;
Nilson Dias Vieira Junior;
Carlos Lenz César;
Maria José Santos Pompeu Brasil
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| Orientador: | Carlos Henrique de Brito Cruz |
| Resumo | |
Estudamos a dinâmica de portadores em escala de tempo de femtossegundos em filmes de AlxGa1-xAs para composições de Al nas quais a liga se encontra próxima à transição gap direto-gap indireto. A técnica utilizada foi a espectros copia de excitação e prova, na qual o pulso de teste se trata de um contínuo cujo espectro cobre o gap das ligas estudadas e possui tipicamente 30 fs de duração. A transmissão diferencial para altas densidades de portadores fotoinjetados na banda de condução adquire considerável complexidade e resulta de um delicado equilíbrio entre o enchimento de estados na banda e efeitos de blindagem e muitos- corpos tais como blindagem pelo plasma foto excitado e renormalização do gap. Nós observamos urna correlação entre a dinâmica dos portadores na banda de condução ( dinâmica intrabanda ) e a renormalização do gap da liga. Esta correlação relaciona-se à dinâmica ultra-rápida de redistribuição de portadores fotoexcitados entre os vales G, X e L da banda de condução (AU) | |
| Processo FAPESP: | 96/02548-6 - Dinâmica em femtossegundos de portadores fotoexcitados na liga AlGaAs próximo a transição gap direto - gap indireto |
| Beneficiário: | Leandro Hostalácio Freire de Andrade |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Doutorado |