Fotoluminescência de filmes epitaxiais de GaN cúbico intrínsecos e dopados

Autor(es)

Angela Maria Ortiz de Zevallos Marquez

• Tipo de documento: Dissertação de Mestrado
• Imprenta: São Paulo.
• Instituição: Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física (IF/SBI)
• Data de defesa: 2002-04-30

Membros da banca

Jose Roberto Leite; Horacio Wagner Leite Alves; Antonio Yukio Ueta

• Orientador: Jose Roberto Leite

Resumo

Neste trabalho estudamos as propriedades óticas de amostras de nitreto de gálio cúbico (GaN) crescidas pela técnica de epitaxia por feixe molecular (MBE). Para isso fazemos uso da ténica de fotoluminescência (PL), assim como também da técnica de efeito Hall para determinar o tipo de condutividade e densidade de portadores presentes no conjunto de amostras estudadas. Numa primeira parte deste trabalho, estudamos amostras de GaN não intencionalmente dopadas através dos processos de recombinação observados nos espectros de PL, quando aplicadas diferentes potênciais de excitação, assim como ao variar a temperatura das amostras. Determinados as energias de ativação da transição associada ao éxciton (livre ou ligado), do doador neutro D \'GRAUS\' e do aceitador neutro A \'GRAUS\' associado à transição doador aceitador D \'GRAUS\'-A \'GRAUS\' e do aceitador A1 associado à transição e-A1. Na segunda parte, estudamos a influência da incorporação dos dopantes Mg e Si no GaN através das transições presentes nos espectros de PL ao variar a potência do laser de excitação e a temperatura da amostra. As amostras de GaN dopadas com Mg, como é de esperar, apresentam uma condutividade tipo-p. Já as amostras de GaN dopadas com Si apresentam dois tipos de condutividade, tipo-p e tipo-n. Acreditamos que este tipo de comportamento seja devido ao nível de dopagem não ter sido suficientemente alto para superar a concentração intrínseca tipo-p de algumas das amostras de GaN. Da mesma forma, nas amostras não intencionalmente dopadas determinamos as energias de ativação da transição associada ao éxciton (livre ou ligado), do doador neutro D\'GRAUS\' e do aceitador A\'GRAUS\' associados à transição doador-aceitador D\'GRAUS\'-A\'GRAUS\' e do A1 associado à transição e-A1 (AU)

• Processo FAPESP: 00/03942-7 - Fotoluminescencia em pocos quanticos de gan/ingan/gan.
• Beneficiário: Angela María Ortiz de Zevallos Márquez
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Mestrado