Películas de Si-ah: construção de um reator PECVD, estudo de técnicas de deposição e caracterizacao das películas.

Autor(es)

João Paulo Bottecchia

• Tipo de documento: Dissertação de Mestrado
• Imprenta: São Paulo.
• Instituição: Universidade de São Paulo (USP). Escola Politécnica (EP/BC)
• Data de defesa: 1994-11-11

Membros da banca

Adnei Melges de Andrade; Inês Pereyra

• Orientador: Adnei Melges de Andrade

Resumo

O grande desenvolvimento da microeletrônica nos últimos anos está diretamente ligado ao desenvolvimento de novos materiais, entre eles, o silício amorfo hidrogenado e suas ligas. Entretanto, muito há para estudar-se sobre suas propriedades físicas a fim de aprimorar-se o seu desempenho em dispositivos. Várias técnicas tem sido utilizadas para a obtenção desses materiais. Dentre elas, a deposição química na fase vapor assistida por plasma (PECVD) destaca-se pela possibilidade de depositar-se em vários tipos de substrato, inclusive em grandes áreas, a baixas temperaturas. Com o objetivo de estudar-se as propriedades do silício amorfo e suas ligas, construiu-se um reator do tipo PECVD. Foram introduzidas inovações no reator a fim de se explorar a influência dos parâmetros de deposição sobre as propriedades optoeletrônicas do material. As modificações introduzidas foram estudadas em função das características de películas de silício amorfo não dopadas depositadas nesse reator. Foram feitas medidas de espectrometria de absorção óptica no visível e no infravermelho para obtenção do hiato óptico, do conteúdo e da forma de incorporação do hidrogênio; medidas de condutividade e fotocondutividade e de energia de ativação. (AU)

• Processo FAPESP: 92/01619-6 - Produção de películas de ligas de silício amorfo hidrogenado em um reator do tipo PECVD e sua caracterização
• Beneficiário: Joao Paulo Bottecchia
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Mestrado