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Análise de camadas epitaxiais finas crescidas através de CBE utilizando curvas de rocking e varreduras Renninger

Autor(es):
Rogério Valentim Gelamo
Número total de Autores: 1
Tipo de documento: Dissertação de Mestrado
Imprenta: Campinas, SP. , gráficos, ilustrações, tabelas.
Instituição: Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP). Instituto de Física Gleb Wataghin
Data de defesa:
Membros da banca:
Lisandro Pavie Cardoso; Jose Claudio Galzerani; Mauro Monteiro Garcia de Carvalho
Orientador: Lisandro Pavie Cardoso
Área do conhecimento: Ciências Exatas e da Terra - Física
Indexada em: Base Acervus-UNICAMP; Biblioteca Digital da UNICAMP
Localização: Universidade Estadual de Campinas. Biblioteca Central Cesar Lattes; T/UNICAMP; G28a; Universidade Estadual de Campinas. Biblioteca do Instituto de Física Gleb Wataghin; T/UNICAMP; G28a
Resumo

Neste trabalho, heteroestruturas semicondutoras com camadas finas de espessura variável de GaxIn1-xP, crescidas sobre substratos de GaAs(001) através da técnica de Epitaxia por Feixe Químico (CBE), foram analisadas por curvas de rocking e difração múltipla de raios-X. Através das curvas de rocking em sistemas de duplo-cristal e também triplo-eixo, foi possível determinar a estrutura analisada com as composições, os parâmetros de rede perpendiculares e as espessuras das camadas que compõem cada uma das amostras. Camadas buffer de GaAs tensionadas e a presença de camadas interfaciais finas (13 a 20 Þ ) de GaAsyP1-y entre as camadas GaxIn1-xP e buffer, foram obtidas das simulações das curvas de rocking, realizadas com programa baseado na teoria dinâmica de raios-X, fornecendo assim, os melhores ajustes para as curvas experimentais. A técnica de difração múltipla de raios-X mostrou-se de extrema utilidade neste trabalho, pois as varreduras Renninger, em torno dos picos BSD, caso especial da difração múltipla em que o feixe secundário se propaga paralelamente à superfície da amostra, mostraram sensibilidade suficiente para a detecção dos picos híbridos que correspondem as contribuições de diferentes redes em uma única varredura. O ajuste desses picos com o programa baseado na difração múltipla[19] , permitiu a determinação dos parâmetros de rede paralelos às interfaces e a largura mosaico das camadas GaxIn1-xP, e de camadas interfaciais de GaAsyP1-y, que já haviam sido detectadas por curvas de rocking. Foram ainda obtidas topografias de superfície em todas as amostras, através de microscopia de força atômica, e o comportamento das curvas rugosidade média versus espessura foi relacionado à tensão na rede, provavelmente causada pela deformação tetragonal da rede cristalina das camadas de GaxIn1-xP (AU)

Processo FAPESP: 00/00227-5 - A difracao multipla de raios-x na analise de camadas epitaxiais finas crescidas por epitaxia de feixe quimico.
Beneficiário:Rogério Valentim Gelamo
Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Mestrado