Contribuições para a modelagem de dispositivos semicondutores baseados em contatos Schottky heterodimensionais

Autor(es)

Regiane Aparecida Ragi Pereira

• Tipo de documento: Tese de Doutorado
• Imprenta: São Paulo.
• Instituição: Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física (IF/SBI)
• Data de defesa: 2003-02-21

Membros da banca

Murilo Araujo Romero; Antonio Martins Figueiredo Neto; Jose Roberto Leite; Antonio Carlos Seabra; Jacobus Willibrordus Swart

• Orientador: Murilo Araujo Romero

Resumo

Esta tese trata da modelagem das características eletrônicas de dispositivos semicondutores baseados em contatos Schottky heterodimensionais, definidos como contatos entre um metal e um sistema de dimensionalidade reduzida. Especificamente, este trabalho concentra-se na situação em que o metal é posto em contato direto com um gás eletrônico bidimensional presente na interface de uma heterojunção empregando dopagem modulada. Dispositivos de interesse são diodos Schottky, bem como estruturas do tipo metal-semicondutor-metal (MSM). Para a característica capacitância-tensão, C-V, é desenvolvido um modelo quasi-bidimensional que apresenta excelente concordância com os resultados experimentais disponíveis. Do ponto de vista da característica corrente-tensão, I-V, é apresentado um modelo unificado, considerando tanto o mecanismo de tunelamento, quanto o de emissão termoiônica. Nossas previsões teóricas, suportadas por alguns indicativos experimentais, sugerem que, para aplicações em fotodetecção, o uso de contatos heterodimensionais, substituindo junções metal-semicondutor convencionais, pode reduzir a corrente de escuro em pelo menos uma ordem de magnitude. (AU)

• Processo FAPESP: 97/01591-8 - Modelamento das características optoeletrônicas de fotodetectores MSM (metal-semicondutor-metal) de heterojunção
• Beneficiário: Regiane Aparecida Ragi Pereira
• Modalidade de apoio: Bolsas no Brasil - Doutorado