MULTICAMADAS DE SIO2 E DE QUANTUM DOTS DE PbTe PARA DISPOSITIVO ÓPTICO CHAVEADOR

"MULTICAMADAS DE SiO~ 2~ E DE QUANTUM DOTS DE PbTe PARA DISPOSITIVO ÓPTICO CHAVEADOR". A presente invenção refere-se à fabricação de multicamadas de SiO~ 2~ e de quantum dots de PbTe, usadas como região ativa, para fabricação de qualquer tipo de dispositivo óptico chaveador não linear na configuração de uma cavidade óptica de Fabry-Perot-Etalon. Este dispositivo apresenta a vantagem de ser totalmente óptico, somente a luz é que está interagindo, não necessitando de nenhum processo mecânico, elétrico, acústico ou eletrônico para controlar a luz. Também não se faz uso de técnicas de fotolitografia, extremamente caras, com dispositivos á base de silício, por exemplo, ou qualquer outro que faça uso desta técnica. Para a fabricação das multicamadas de QD de PbTe e SiO~ 2~ de maneira alternada, a presente invenção faz uso de dois processos alternados, deposição a laser, ablação, Laser Ablation para a fabricação das camadas de QD de PbTe e deposição Química a Vapor a Plasma Melhorado, PECVD para as camadas de SiO~ 2~. Este invento tem sua aplicação principal como uma chave óptica ultra-rápida na faixa de 1 ps que atua na região das comunicações ópticas onde as perdas por atenuação das fibras ópticas de sílica são menores.