CV Lattes
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Ministério da Ciência, Tecnologia e Inovação (Brasil). Centro de Pesquisas Renato Archer (CENPRA) (Instituição Sede da última proposta de pesquisa) País de origem: Brasil
Possui Bacharelado em Química com Atribuições Tecnológica pelo Instituto de Química de Araraquara da Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho (1994), mestrado em Química pela Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho (1997) e doutorado em Química pela Universidade Estadual Paulista Júlio de Mesquita Filho (2001). Atualmente é Tecnologista Senior do Centro de Tecnologia da Informação Renato Archer (CTI).Tem experiência na área de Materiais Avançados, com ênfase em Cerâmicas e Compósitos , atuando principalmente com a síntese de nanoestruturas de óxidos semicondutores, estruturas de carbono e compósitos para aplicação em sensores, biossensores, energy harvesting e dispositivos armazenadores de energia. (Fonte: Currículo Lattes)
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Nos últimos anos a nanotecnologia e mais concretamente os nanocerâmicos têm constituído um dos mais importantes e excitantes campos de investigação, tanto para a física como para química e engenharia. A morfologia e o tamanho de partículas são características que influenciam as propriedades elétricas e ópticas dos nanocerâmicos. Por isso, considerando os vários aspectos relacionados com o…
Os materiais mistos derivados do BaTiO3 (BT) e do SrTiO3 (ST), tais como Ba1-xCaxTiO3 (BCT) e o Sr1-xCaxTiO3 (SCT) estão sendo muito estudados, recentemente, por exibirem ótimas propriedades elétricas e ópticas. Esses materiais são promissores para substituírem os compostos à base de chumbo, tais como o PbMg1/3Nb2/3O3 (PMN), Pb(Zr1-xTix)O3 (PZT) e o (Pb,La)(Zr1-xTix)O3 (PLZT), presentes e…
Os óxidos ferroelétricos de camada de Bismuto BaBi2Ta2O9 e BaBi2Nb2O9 apresentam propriedades ferroelétricas e podem ser materiais promissores para o uso em memórias não voláteis. Entretanto, muito pouco se sabe a respeito da preparação de filmes finos destes óxidos. Filmes finos dos óxidos ferroelétricos de camada de Bismuto BaBi2Ta2O9 e BaBi2Nb2O9 serão preparados utilizando o método de…
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