CV Lattes
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Universidade de São Paulo (USP). Instituto de Física de São Carlos (IFSC) (Instituição Sede da última proposta de pesquisa) País de origem: Brasil
Bacharel em Física pelo Instituto de Física Gleb Wataghin (IFGW- UNICAMP) em 1989, onde também obteve os títulos de Mestre em Física (1991) e Doutor em Ciências (1995). Atualmente ocupa o cargo de Professor Associado no Instituto de Física de São Carlos (USP) onde lidera o Laboratório de Filmes Finos. Possui experiência em Física da Matéria Condensada Experimental, atuando nas seguintes grandes áreas: Física de Semicondutores, Ciência e Tecnologia de Filmes Finos, Técnicas Espectroscópicas (óptica, eletrônica, estrutural). (Fonte: Currículo Lattes)
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A proposta deste projeto é estudar experimental e teoricamente as propriedades físicas de materiais nano-estruturados para aplicações na indústria microeletrônica, metalúrgica de transformação e aplicações na área de Física de Superfícies. Os objetivos do projeto estão focados no estudo das propriedades ópticas, elétricas, estruturais, e mecânicas de materiais nanoestruturas à base de car…
Este Plano de Pesquisa tem por objetivo principal a implementação de novas linhas de pesquisa mediante a renovação dos recursos experimentais do Lab de Filmes Finos (IFSC-USP). Dentre as linhas de pesquisa pretendidas (algumas delas parcialmente iniciadas) merecem destaque as seguintes: (a) pesquisa básica envolvendo filmes finos dopados com íons terra-rara ou metais de transição para apl…
Este Projeto de Pesquisa tem por objetivo principal o estudo dos mecanismos microscópicos de cristalização em semicondutores amorfos. Os sistemas investigados serão compostos por filmes finos à base de silício amorfo (a-Si) sob três formas principais: (a) dopados (com concentrações variáveis de espécies metálicas), (b) na forma de interfaces (filmes de a-Si/metal), e (c) como estruturas l…
O objetivo deste projeto é estudar os mecanismos microscópicos de cristalização induzida quando submetido a altas pressões hidrostáticas. Os sistemas investigados serão micro- ou nano-estruturas formadas em matrizes amorfas de semicondutores inorgânicos (a-Si e a-Ge) ou em matrizes com oxigênio (a-SiOx e a-GeOx) ou nitrogênio (a-SiNx e a-GeNx). Os materiais serão depositados sob a forma d…
Este Plano de Pesquisa tem por objetivo principal a investigação sistemática de micro-estruturas de rubi, ou dióxido de alumínio dopado com íons cromo 3+ (Al2O3:Cr3+). Com este propósito, filmes de nitreto de alumínio (AlN) contendo Cr serão preparados pela técnica de cosputtering e submetidos a tratamentos térmicos em uma atmosfera saturada de oxigênio. Pesquisas recentes realizadas em n…
Este Plano de Pesquisa tem por objetivo a síntese e a caracterização espectroscópica de compostos semicondutores de potencial interesse na moderna indústria eletrônica. Os sistemas investigados serão aqueles à base de filmes de Si e Ge dopados. Em todas as situações, as amostras serão preparadas pela técnica de cosputtering e envolverão filmes de Si amorfo (a-Si), a-Ge e ligas a-SiGe. Alé…
Este programa de pesquisas de curta duração tem por objetivo principal a investigação de materiais à base de silício mediante a utilização de técnicas de alta resolução espacial. As amostras a serem investigadas consistirão de filmes de SiN dopados com íons terra-rara e filmes de Si contendo Ni ou Fe. O programa prevê a realização de caracterizações ópticas e composicionais e, principalme…