Resumo
Este projeto de pesquisa, que será desenvolvido junto ao Laboratório de Novos Materiais Semicondutores (LNMS) do IFUSP, envolve o estudo das propriedades eletrônicas de heteroestruturas semicondutoras (poços quânticos com dopagem planar na barreira e pontos quânticos) crescidas pela técnica de epitaxia por feixe molecular (MBE, Molecular Beam Epitaxy), utilizando a técnica de fotoluminesc…