Resumo
a) Semicondutores IH-V. Em heteroestruturas InP/InxGa1-xAs, a presença de uma camada interfacial entre o InP crescido sobre InGaAs degrada as propriedades ópticas e de transporte da estrutura. Para estabelecer as condições de crescimento que resultem em interfaces abruptas, são necessários métodos confiáveis de caracterização das camadas interfaciais. Neste trabalho, desenvolveremos um mé…