CV Lattes
Centro Universitário FEI (UNIFEI). Campus de São Bernardo do Campo (Instituição Sede da última proposta de pesquisa) País de origem: Brasil
Possui graduação em Eng. Elétrica - Eletrônica de Computadores pelo Centro Universitário da FEI (1997), mestrado em Engenharia Elétrica pela Universidade de São Paulo (2003) e doutorado em Engenharia Elétrica pela Universidade de São Paulo (2008). Atualmente é pesquisadora associada e professora Adjunto I do Centro Universitário da FEI. Tem experiência na área de Engenharia Elétrica, com ênfase em conversão eletromecânica de energia, atuando principalmente em máquinas elétrica e geração de energia. (Fonte: Currículo Lattes)
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Os dispositivos semicondutores usados sistemas com elevada potência devem suportar altas correntes e tensões, assim como elevadas tensões reversas durante o seu chaveamento. Apesar dos grandes avanços nos processos de fabricação de dispositivos de potência ainda não obtivemos soluções satisfatórias que possibilitem a ampliação das aplicações destes dispositivos em termos de bloqueio de te…
O transistor SOI MOSFET com dopagem assimétrica na região de canal (GC SOI MOSFET) foi desenvolvido recentemente, com o intuito de elevar a tensão de ruptura de dreno dos transistores SOI totalmente depletados. Os resultados obtidos foram promissores, indicando uma significativa melhora na condutância de dreno, na tensão Early e na corrente de saturação, além de uma sensível redução da oc…
| 3 | Auxílios à pesquisa concluídos |
| 2 | Bolsas no país concluídas |
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