CV Lattes
Universidade de São Paulo (USP). Escola Politécnica (EP) (Instituição Sede da última proposta de pesquisa) País de origem: Brasil
Possuo graduação em Materiais, Processos e Componentes Eletrônicos pela Faculdade de Tecnologia de São Paulo (1999), mestrado em Engenharia Elétrica pela Escola Politécnica da Universidade de São Paulo (2002), doutorado em Engenharia Elétrica pela Escola Politécnica da Universidade de São Paulo (2006) e pós-doutorado em Engenharia Elétrica pela Escola Politécnica da Universidade de São Paulo (2010). Tenho experiência em materiais semicondutores, atuando em ciências dos materiais (produção e caracterização de filmes isolantes, semicondutores e metálicos por diferentes técnicas e processos), processos de fabricação (deposição, cristalização, dopagem, corrosão e oxidação) e caracterização elétrica de dispositivos semicondutores. Além disso, também sou coordenador da área de desenvolvimento de sistemas web junto ao Núcleo de Desenvolvimento de Software (NDS http://www.usp.br/nds), atuando no desenvolvimento de aplicações web dinâmicas com base de dados relacional, gestão de conteúdo e gerenciamento da informação visando aplicações acadêmicas e em sistemas eletrônicos e de sensoriamento. (Fonte: Currículo Lattes)
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Este projeto de pesquisa tem por objetivo realizar estudos na área de obtenção, desenvolvimento e fabricação de diodos Schottky baseados em filmes amorfos e cristalizados de carbeto de silício depositados pela técnica de deposição química a vapor assistida por plasma (PECVD) a baixas temperaturas (~300 °C). Nesse sentido, a proposta do projeto envolve o desenvolvimento de contatos elétric…
O projeto envolverá a fabricação e caracterização de junções P-N e estruturas MOS simples utilizando películas de carbeto de silício crescidas pela técnica PECVD. As películas em questão e os processos de fabricação a serem utilizados são aqueles otimizados em trabalhos prévios, assim nosso objetivo é estudar a viabilidade de desenvolver dispositivos opto-eletrônicos baseados nesse materi…
O presente projeto trata sobre a dopagem elétrica de películas semicondutoras de carbeto de silício amorfo hidrogenado (a-Si1-xCx:H) obtido pela técnica de PECVD. O objetivo é estudar a dopagem de tipo-N e tipo-P de filmes quase estequiométricos (x~0,5) desse material. A proposta é estender, aprofundar e otimizar resultados prévios que já demonstraram a viabilidade e pertinência de um est…
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