Resumo
Neste trabalho deseja-se estudar teórica e experimentalmente as características de dispositivos construídos com a tecnologia nMOS fabricados na Universidade em Toulouse – França (Atelier Interuniversitaire de Micro-Électronique - AIME). Através dos resultados obtidos com a caracterização elétrica dos dispositivos integrados básicos (transistores, capacitores e diodos) deseja-se corr…