| Processo: | 02/10604-6 |
| Modalidade de apoio: | Auxílio à Pesquisa - Regular |
| Data de Início da vigência: | 01 de junho de 2003 |
| Data de Término da vigência: | 31 de maio de 2005 |
| Área do conhecimento: | Engenharias - Engenharia Aeroespacial - Materiais e Processos para Engenharia Aeronáutica, Aeroespacial |
| Pesquisador responsável: | Neidenei Gomes Ferreira |
| Beneficiário: | Neidenei Gomes Ferreira |
| Instituição Sede: | Instituto de Aeronáutica e Espaço (IAE). Departamento de Ciência e Tecnologia Aeroespacial (DCTA). Ministério da Defesa (Brasil). São José dos Campos , SP, Brasil |
| Assunto(s): | Materiais nanoestruturados Filmes finos Semicondutores Silício Eletrodeposição Infravermelho Sensores |
| Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | Eletrodeposicao | Eletroquimica | Raios-X De Alta Resolucao | Semicondutores | Silicio Poroso | Stress |
Resumo
O objetivo principal deste projeto é o estudo e desenvolvimento de processos eletroquímicos para obtenção e caracterização de Si-poroso e filmes eletrodepositados de PbTe. Esta linha de trabalho está vinculada ao desenvolvimento e caracterização de novos materiais para Sensores de Infravermelho, SINFRA/AMR/CTA. A utilização de substrato de Si-poroso obtido eletroquimicamente poderia acomodar a diferença do parâmetro de rede e o "stress" da interface e representa hoje um grande desafio mundial para as técnicas de crescimento epitaxial de filmes semicondutores do grupo IV-VI. Portanto, o projeto apresenta uma proposta barata e inovadora no casamento da técnica de eletrodeposição de filmes de PbTe sobre silício poroso. (AU)
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