| Processo: | 05/51387-6 |
| Modalidade de apoio: | Auxílio à Pesquisa - Regular |
| Data de Início da vigência: | 01 de maio de 2006 |
| Data de Término da vigência: | 31 de maio de 2008 |
| Área do conhecimento: | Engenharias - Engenharia de Materiais e Metalúrgica |
| Pesquisador responsável: | Neidenei Gomes Ferreira |
| Beneficiário: | Neidenei Gomes Ferreira |
| Instituição Sede: | Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE). São José dos Campos , SP, Brasil |
| Município da Instituição Sede: | São José dos Campos |
| Assunto(s): | Semicondutores Eletrodos porosos Eletroquímica |
| Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | Diamante Dopado | Eletrodos Porosos | Eletroquimica | Materiais Carbonosos | Nanocristais De Diamante | Semicondutor |
Resumo
Esta proposta está concentrada em dar continuidade e incrementar os projetos ora em andamento, relativos à produção, caracterização e estudos eletroquímicos de eletrodos de Diamante-CVD, dentro do grupo DIMARE/LAS/INPE. Esses eletrodos, mesmo em forma plana crescidos sobre Si, têm demonstrado um alto desempenho em aplicações como eletrossintese e eletroanálise, quando comparados aos eletrodos convencionais de carbono vítreo. Particularmente, esse Projeto está associado ao desenvolvimento e caracterizag5o de eletrodos porosos de diamante, dopados com boro e/ou lítio, quando crescidos sobre substratos carbonosos, além do crescimento de nanocristais de diamante sobre Si poroso e CVM. Para obtenção desses filmes estão disponíveis as técnicas assistidas por HFCVD e/ou plasma de microondas. Considerando a "interface" formada para um eletrodo poroso de diamante em meio aquoso, bastante peculiar e inexplorada, justificam-se recursos para aquisição de um Potenciostato que possibilite a continuidade desse trabalho. (AU)
| Matéria(s) publicada(s) na Agência FAPESP sobre o auxílio: |
| Mais itensMenos itens |
| TITULO |
| Matéria(s) publicada(s) em Outras Mídias ( ): |
| Mais itensMenos itens |
| VEICULO: TITULO (DATA) |
| VEICULO: TITULO (DATA) |