Obtenção e caracterização de filmes finos de ZnTe e ZnSe pela técnica de ECALE

Resumo

Semicondutores binários podem ser aplicados em dispositivos optoeletrônicos, células solares, detectores de infravermelho e lasers. Dentre os diversos semicondutores binários tem havido um interesse crescente nas últimas décadas em semicondutores obtidos a partir de filmes finos de calcogênios devido a sua vasta aplicação em vários campos da Ciência e Tecnologia. Estes semicondutores levam a obtenção de materiais cujos gaps cobrem o espectro visível e a eficiência de conversão ótica é alta. Recentemente a eletrodeposição tem surgido como uma técnica simples, econômica, viável e capaz de produzir filmes de boa qualidade para aplicação em dispositivos. Outros atrativos desta técnica são: capacidade de produzir dispositivos com grande área, em várias formas geométricas, baixa temperatura de deposição e possibilidade do controle da espessura e da composição pelo ajuste das condições de eletrólise e da composição do banho de deposição. Entretanto a maioria das condições empregadas à eletrodeposição geralmente não leva a eletrodepósitos de boa qualidade para aplicação em dispositivos. A baixa cristalinidade dos filmes crescidos e o excesso de calcogênios nos depósitos são os principais problemas associados com esta técnica. Assim torna-se importante o entendimento e controle do processo de eletrodeposição destes semicondutores buscando obter nanoestruturas no sentido de melhorar os filmes obtidos do ponto de vista de suas propriedades optoeletrônicas. Neste projeto serão obtidos filmes finos de ZnSe e ZnTe por eletrodeposição sobre diferentes substratos. Serão avaliados os filmes obtidos por eletrodeposição de nanocamadas dos elementos individuais obtidas em Deposição em Regime de Subtensão (DRS) e deposição epitaxial (ECALE) e a codeposição simultânea dos elementos. Buscar-se-á as possíveis correlações entre as nanoestruturas formadas no processo de deposição e a resposta optoeletrônica dos filmes semicondutores. (AU)