| Processo: | 09/11099-2 |
| Modalidade de apoio: | Bolsas no Brasil - Doutorado |
| Data de Início da vigência: | 01 de outubro de 2009 |
| Data de Término da vigência: | 28 de fevereiro de 2013 |
| Área de conhecimento: | Ciências Exatas e da Terra - Química - Físico-química |
| Pesquisador responsável: | José Arana Varela |
| Beneficiário: | Thiago Sequinel |
| Instituição Sede: | Instituto de Química (IQ). Universidade Estadual Paulista (UNESP). Campus de Araraquara. Araraquara , SP, Brasil |
| Vinculado ao auxílio: | 04/14932-3 - Influência da texturização e de defeitos cristalinos nas propriedades ferroelétricas de filmes finos e cerâmicos, AP.TEM |
| Assunto(s): | Filmes finos Alta pressão |
| Palavra(s)-Chave do Pesquisador: | alta pressao | eletrodos cerâmicos condutores | Filmes finos | impregnação | filmes finos |
Resumo Pretende-se neste trabalho produzir filmes finos através de uma nova técnica de impregnação forçada de óxidos utilizando pressão elevada. Através de forno na forma de protótipo industrial, serão obtidos filmes finos de titanato de cálcio e cobre (CCTO) em substrato de silício com diferentes eletrodos, como platina e óxidos metálicos condutores (LaNiO3, La0,5Sr0,5CoO3 e RuO2). A síntese dos filmes finos será realizada a temperaturas relativamente baixas (250 °C a 600 °C), por um período superior a 10 horas usando elevadas pressões finais. A cristalinidade, pureza e composição dos filmes resultantes serão determinadas pelas técnicas de difração de raios X (DRX), fluorescência de raios X e espectroscopia de fotoelétrons excitados por raios X (XPS). A morfologia será analisada pelas microscopias eletrônicas de varredura (MEV) e de transmissão (MET), e pela microscopia de força atômica (MFA). Pela técnica de alta resolução da MET será determinado o estado de interface filme-eletrodo. As propriedades elétricas e dielétricas dos filmes serão estudas utilizando-se medidas de corrente (I) versus tensão (V) para averiguar se o filme obtido apresenta uma resposta linear ou não linear, e pela técnica de espectroscopia de impedância que permite determinar a dependência entre a resposta do sistema e a freqüência aplicada ao mesmo. A propriedade de fotoluminescência dos filmes será investigada pelo espectro de fotoluminescência obtido pelo monocromador Thermal Jarrel-Ash Monospec 27 usando um fotomultiplicador Hamamatsu R446. A influência da pressão na ordem-desordem do filme será determinada pela comparação com filmes obtidos pelas técnicas convencionais, como por exemplo, a técnica spin coating. | |
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